Jannel

ReRAM, of resistieve geheugencellen, is een type niet-vluchtig geheugen dat enkele overeenkomsten vertoont met faseveranderingsgeheugen, aangezien beide worden beschouwd als typen memristortechnologieën. ReRAM, ook wel RRAM (Resistive Random Access Memory) genoemd, wordt beschouwd als een soort memristortechnologie, een passief elektronisch apparaat met twee terminals dat is ontworpen om alleen de eigenschap van een elektronische component … Meer lezen