ReRAM, of resistieve geheugencellen, is een type niet-vluchtig geheugen dat enkele overeenkomsten vertoont met faseveranderingsgeheugen, aangezien beide worden beschouwd als typen memristortechnologieën.
ReRAM, ook wel RRAM (Resistive Random Access Memory) genoemd, wordt beschouwd als een soort memristortechnologie, een passief elektronisch apparaat met twee terminals dat is ontworpen om alleen de eigenschap van een elektronische component uit te drukken waarmee het de laatste weerstand kan oproepen die het eerder had wordt afgesloten (“memristance”).
Hoe ReRAM werkt
ReRAM slaat gegevens op met behulp van ionen (geladen atomen) als veranderingen in elektrische weerstand, in plaats van elektronen. Volgens onderzoekers van J lich Aachen Research Alliance (JARA) kan resistief geheugen het energieverbruik van moderne IT-systemen verminderen en tegelijkertijd de prestaties verbeteren.
In resistief schakelende geheugencellen (ReRAM’s) gedragen ionen zich op nanometerschaal op dezelfde manier als een batterij. De cellen hebben twee elektroden, bijvoorbeeld van zilver en platina, waarop de ionen oplossen en weer neerslaan. Dit verandert de elektrische weerstand, die kan worden benut voor gegevensopslag. Ook hebben de reductie- en oxidatieprocessen nog een ander effect: ze genereren elektrische spanning. [Bron: JARA]
Momenteel heeft een aantal bedrijven gepatenteerde versies van ReRAM. Verschillende vormen van ReRAM zijn gebaseerd op het gebruik van verschillende diëlektrische materialen, waaronder metaaloxiden.